GDW3-LT1C高頻光電導少子壽命測試儀/高頻光電壽命測試儀 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω•cm
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產品名稱: GDW3-LT1C高頻光電導少子壽命測試儀/高頻光電壽命測試儀 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω•cm
產品型號: GDW3-LT1C
產品展商: ghitest
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簡單介紹
用於矽、鍺單晶的少數載流子壽命測量，除需要有一個測量平麵外，對樣塊體形*嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質汙染及缺陷存在的情況，是單晶的重要檢測項目。
GDW3-LT1C高頻光電導少子壽命測試儀/高頻光電壽命測試儀 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω•cm
的詳細介紹
太陽能 矽片壽命 配已知壽命樣片、配示波器
產品簡介
1、用途
用於矽、鍺單晶的少數載流子壽命測量，除需要有一個測量平麵外，對樣塊體形*嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質汙染及缺陷存在的情況，是單晶的重要檢測項目。
2、 設備組成
2.1、光脈衝發生裝置
重複頻率＞25次/s 脈寬＞60μｓ 光脈衝關斷時間＜1μｓ
紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量矽單晶） 脈衝電流：5A～20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2、高頻源
頻率：30MHz 低輸出阻抗 輸出功率＞1W
2.3、放大器和檢波器
頻率響應：2Hz～2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器：頻帶寬度不低於10MHz，Y軸增益及掃描速度均應連續可調。
3、測量範圍
可測矽單晶的電阻率範圍：ρ≥0.1Ω·㎝（歐姆·厘米）
壽命值的測量範圍：5～6000μｓ（微秒）